Samsung Electronics mới đây đã rất tự hào khi tuyên bố rằng, họ đang phát triển bộ nhớ DRAM đầu tiên sử dụng công nghệ 30nm, với dung lượng 2GB DDR3. Theo công ty điện tử đến từ Hàn Quốc này, công nghệ 30nm nói trên sẽ giúp tăng năng suất lên đến 60% so với công nghệ 40nm, và giảm một nửa chi phí so với chu trình 50nm/60nm.
Soo-In Cho, chủ tịch bộ phận sản xuất bộ nhớ của Samsung phát biểu: “Chu trình 30nm mới này của chúng tôi sẽ giúp công ty đạt được sức cạnh tranh rất lớn trong thị trường sản xuất bộ nhớ. Công nghệ này mang lại khả năng tiết kiệm điện cùng hiệu năng cực kỳ đáng nể cho bộ nhớ DDR3, phù hợp với những thiết bị điện tử, hệ thống máy bàn hay máy chủ”.
Khả năng tiết kiệm điện năng của Samsung 30nm 2GB DRAM được công ty đánh giá là tốt hơn 30% so với công nghệ 50nm DRAM. Dự kiến công nghệ này sẽ được áp dụng đại trà trên thị trường vào nửa cuối năm nay.
Nguồn vOz.vn